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RQ6C065BCTCR

¥5.76
单 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1520 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.25W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RQ6C065BCTCR

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