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SCTWA50N120

¥277.42
单 FET、MOSFET
意法半导体

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122 nC @ 20 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)318W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageHiP247™
Package / CaseTO-247-3

关于 SCTWA50N120

SCTWA50N120 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 1200V 65A HIP247。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。

SCTWA50N120 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(69mOhm @ 40A, 20V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(122 nC @ 20 V)、Vgs (Max)(+25V, -10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1900 pF @ 400 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 意法半导体:意法半导体是一家全球独立的半导体公司,是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合以及战略合作伙伴关系,使其在系统级芯片(SoC)技术的前沿占据领先地位,其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。

SCTWA50N120 现货供应,可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 产品的专业分销商,我们保证所有元器件均为100%原装正品,直接来源于制造商授权渠道。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价,获取 SCTWA50N120 的最新价格和交期信息。

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SCTWA50N120 是什么类型的电子元器件?

SCTWA50N120 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 SCTWA50N120 的规格书和引脚图?

本页面提供 SCTWA50N120 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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