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PSMN3R7-100BSEJ

¥35.93
单 FET、MOSFET
Nexperia

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.95mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs246 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16370 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)405W (Ta)
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK
Package/ CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新闻资讯

Nexperia 单 FET、MOSFET 产品 PSMN3R7-100BSEJ

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