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STP10N60M2

¥11.38
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)85W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220
Package/ CaseTO-220-3

新闻资讯

STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 STP10N60M2

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