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NVTFS4C02NTAG

¥16.49
单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.3A (Ta), 162A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2980 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 107W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-WDFN (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerWDFN

新闻资讯

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