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NTTFS6H850NTAG

¥14.98
单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1140 pF @ 40 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 107W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-WDFN (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerWDFN

新闻资讯

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