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SI2312BDS-T1-BE3

¥4.18
单 FET、MOSFET

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)750mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

新闻资讯

Vishay/ Siliconix 单 FET、MOSFET 产品 SI2312BDS-T1-BE3

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