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STL7N10F7

¥10.30
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds920 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.9W (Ta), 50W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerFlat™ (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerVDFN

新闻资讯

STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 STL7N10F7

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