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SISS27DN-T1-GE3

¥6.05
单 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5250 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)4.8W (Ta), 57W (Tc)
Operating Temperature-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerPAK® 1212-8S
Package/ CasePowerPAK® 1212-8S

新闻资讯

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