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FDC637BNZ

¥3.24
单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds895 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSuperSOT™-6
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

新闻资讯

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