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TK090U65Z,RQ

¥39.60
单 FET、MOSFET

DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.27mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2780 pF @ 300 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)230W (Tc)
Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTOLL
Package/ Case8-PowerSFN

新闻资讯

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 单 FET、MOSFET 产品 TK090U65Z,RQ

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