| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.96mOhm @ 32A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11400 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
关于 CSD18510Q5B
CSD18510Q5B 是由 德州仪器 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
CSD18510Q5B 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（0.96mOhm @ 32A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（153 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（11400 pF @ 20 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
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CSD18510Q5B 是由 德州仪器 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
德州仪器 单 FET、MOSFET 产品 CSD18510Q5B
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