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BSC032NE2LSATMA1

¥7.06
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta), 84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 12 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta), 78W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-6
Package/ Case8-PowerTDFN

新闻资讯

Infineon Technologies 单 FET、MOSFET 产品 BSC032NE2LSATMA1

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