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PXP012-30QLJ

¥4.32
单 FET、MOSFET
Nexperia

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.9A (Ta), 38.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.8mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W (Ta), 32W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageMLPAK33
Package/ Case8-PowerVDFN

新闻资讯

Nexperia 单 FET、MOSFET 产品 PXP012-30QLJ

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