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RQ6C050UNTR

¥3.74
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.25W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RQ6C050UNTR

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