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PJC7409_R1_00001

¥3.38
单 FET、MOSFET
PANJIT

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds38 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)350mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-323
Package/ CaseSC-70, SOT-323

新闻资讯

PANJIT 单 FET、MOSFET 产品 PJC7409_R1_00001

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