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MMIX1Y82N120C3H1

¥331.08
单 IGBT
力特

DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

参数名称参数值
Product StatusActive
IGBT TypePT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)320 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 82A
Power - Max320 W
Switching Energy4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge215 nC
Td (on/off) @ 25°C29ns/192ns
Test Condition600V, 80A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)78 ns
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case24-PowerSMD, 21 Leads
Supplier Device Package24-SMPD

关于 MMIX1Y82N120C3H1

MMIX1Y82N120C3H1 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 78 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 82A。

MMIX1Y82N120C3H1 共有 17 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(320 W)、Switching Energy(4.95mJ (on), 2.78mJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(215 nC)、Td (on/off) @ 25°C(29ns/192ns) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 力特:力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件,从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合,同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分,他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;以及提供安全控制和分配电能的产品。

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新闻资讯

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