| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 106 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 184 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 500 W |
| Switching Energy | 4mJ (on), 3.4mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 57 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/235ns |
| Test Condition | 960V, 25A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263HV |
关于 IXYA30N120A4HV
IXYA30N120A4HV 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 106 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A。
IXYA30N120A4HV 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（500 W）、Switching Energy（4mJ (on), 3.4mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（57 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/235ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
力特 单 IGBT 产品 IXYA30N120A4HV
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