| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 50 W |
| Switching Energy | 270µJ (on), 310µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 90 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18.4ns/71ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 115 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
关于 STGF30H65DFB2
STGF30H65DFB2 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。DISCRETE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A。
STGF30H65DFB2 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（50 W）、Switching Energy（270µJ (on), 310µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（90 nC）、Td (on/off) @ 25°C（18.4ns/71ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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STGF30H65DFB2 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
意法半导体 单 IGBT 产品 STGF30H65DFB2
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