| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 330 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Power - Max | 150 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 80 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3P |
关于 IXGQ85N33PCD1
IXGQ85N33PCD1 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 330V 85A 150W TO3P。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V、Current - Collector (Ic) (Max): 85 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A、Power - Max: 150 W、Input Type: Standard。
IXGQ85N33PCD1 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge（80 nC）、Reverse Recovery Time (trr)（250 ns）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-3P-3, SC-65-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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IXGQ85N33PCD1 是由 力特 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
力特 单 IGBT 产品 IXGQ85N33PCD1
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