| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 430 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.0V @ 5V, 10A |
| Power - Max | 125 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 22 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 500ns/4µs |
| Test Condition | 300V, 8A, 100Ohm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | LPDS |
关于 RGPR30NS40HRTL
RGPR30NS40HRTL 是由 罗姆半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 430V 30A IGNITION LPDS。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V、Current - Collector (Ic) (Max): 30 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A、Power - Max: 125 W、Input Type: Standard。
RGPR30NS40HRTL 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge（22 nC）、Td (on/off) @ 25°C（500ns/4µs）、Test Condition（300V, 8A, 100Ohm, 5V）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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新闻资讯
罗姆半导体 单 IGBT 产品 RGPR30NS40HRTL
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