| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 110 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 130 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.45V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 284 W |
| Switching Energy | 250µJ (on), 4.2mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 200 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/220ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
关于 STGW50HF60S
STGW50HF60S 是由 意法半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 110A 284W TO247。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 110 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A、Power - Max: 284 W。
STGW50HF60S 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（250µJ (on), 4.2mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（200 nC）、Td (on/off) @ 25°C（50ns/220ns）、Test Condition（400V, 30A, 10Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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新闻资讯
意法半导体 单 IGBT 产品 STGW50HF60S
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