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WNSC5D04650T6J

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单二极管

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 4 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr20 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F138pF @ 1V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case4-VSFN Exposed Pad
Supplier Device Package5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

新闻资讯

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