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CDBJCSC201200-G

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单二极管

DIODE

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io)20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 20 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F1500pF @ 0V, 1MHz
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-220-2
Supplier Device PackageTO-220AC
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

新闻资讯

Comchip Technology 单二极管 产品 CDBJCSC201200-G

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