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BSDW20G120C2

¥67.75
二极管阵列
Bourns, Inc.

DIODE SIC 1200V 10A TO247-3

参数名称参数值
Product StatusActive
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 10 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1.2 kV
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

新闻资讯

Bourns, Inc. 二极管阵列 产品 BSDW20G120C2

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