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IV1D12030U3

¥171.72
二极管阵列

SIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T

参数名称参数值
Product StatusActive
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)44A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 15 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr80 µA @ 1200 V
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3

新闻资讯

Inventchip Technology 二极管阵列 产品 IV1D12030U3

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