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MSARS20E060G

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单二极管

DIODE GEN PURP 600V 20A G-BODY

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Current - Average Rectified (Io)20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 10 A
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)45 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseDO-217AA
Supplier Device PackageG-Body (DO-217AA)
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C

新闻资讯

Microchip Technology 单二极管 产品 MSARS20E060G

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