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NXPSC06650BJ

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单二极管

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK

参数名称参数值
Product StatusLast Time Buy
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Current - Average Rectified (Io)6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 6 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F190pF @ 1V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD2PAK
Operating Temperature - Junction175°C (Max)

新闻资讯

WeEn Semiconductors Co., Ltd 单二极管 产品 NXPSC06650BJ

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