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JFE2140DR

¥31.61
JFET
德州仪器

JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC

参数名称参数值
Product StatusActive
FET Type2 N-Channel (Dual)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)40 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Current Drain (Id) - Max50 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id1.5 V @ 0.1 µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13pF @ 5V
Resistance - RDS(On)-
Power - Max-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

关于 JFE2140DR

JFE2140DR 是由 德州仪器 制造的 JFET 类电子元器件。JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: 2 N-Channel (Dual)、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current Drain (Id) - Max: 50 mA、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 0.1 µA。

JFE2140DR 共有 11 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(13pF @ 5V)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(8-SOIC (0.154", 3.90mm Width))、Supplier Device Package(8-SOIC) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 德州仪器:德州仪器公司(Texas Instruments Incorporated,简称TI)是一家全球领先的半导体设计和制造企业,专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才,TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。

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JFE2140DR 是什么类型的电子元器件?

JFE2140DR 是由 德州仪器 制造的 JFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 JFE2140DR 的规格书和引脚图?

本页面提供 JFE2140DR 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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