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RT2901HYDT

¥0.00
比较器
意法半导体

IC COMPARATOR 4 GEN PUR 14SO

参数名称参数值
Product StatusActive
TypeGeneral Purpose
Number of Elements4
Output TypeCMOS, DTL, ECL, MOS, TTL
Voltage - Supply, Single/Dual (±)2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Voltage - Input Offset (Max)7mV @ 5V
Current - Input Bias (Max)0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ)16mA @ 5V
Current - Quiescent (Max)2mA
CMRR, PSRR (Typ)-
Propagation Delay (Max)-
Hysteresis-
Operating Temperature-40°C ~ 150°C
Package / Case14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package14-SO

关于 RT2901HYDT

RT2901HYDT 是由 意法半导体 制造的 比较器 类电子元器件。IC COMPARATOR 4 GEN PUR 14SO。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Type: General Purpose、Number of Elements: 4、Output Type: CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL、Voltage - Supply, Single/Dual (±): 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V、Voltage - Input Offset (Max): 7mV @ 5V。

RT2901HYDT 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Input Bias (Max)(0.25µA @ 5V)、Current - Output (Typ)(16mA @ 5V)、Current - Quiescent (Max)(2mA)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C)、Package / Case(14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 意法半导体:意法半导体是一家全球独立的半导体公司,是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合以及战略合作伙伴关系,使其在系统级芯片(SoC)技术的前沿占据领先地位,其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。

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RT2901HYDT 是什么类型的电子元器件?

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新闻资讯

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