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CYD09S18V18-200BBXI

¥1248.05
记忆

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA

参数名称参数值
Product StatusObsolete
DigiKey ProgrammableNot Verified
Memory TypeVolatile
Memory FormatSRAM
TechnologySRAM - Dual Port, Synchronous
Memory Size9Mbit
Memory Organization512K x 18
Memory InterfaceParallel
Clock Frequency200 MHz
Write Cycle Time - Word, Page-
Access Time3.3 ns
Voltage - Supply1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case256-LBGA
Supplier Device Package256-FBGA (17x17)

新闻资讯

Infineon Technologies 记忆 产品 CYD09S18V18-200BBXI

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