欢迎您来到深圳凌创辉电子有限公司!
0755-83216080

IRFD321

¥0.00
单 FET、MOSFET

N-CHANNEL POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)350 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds455 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device Package4-DIP, Hexdip
Package/ Case4-DIP (0.300", 7.62mm)

新闻资讯

Harris Corporation 单 FET、MOSFET 产品 IRFD321

作为Harris Corporation优质且资深的代理服务商,深圳凌创辉电子有限公司在为您采购IRFD321时,能够保证原装进口的品质保障以外,价格也是业界最优的,找我们买IRFD321绝对的现货正品,需要报价和咨询请您随时联系我们,同时我们为方便您了解IRFD321产品详情,我们提供了pdf在线观看参数资料,助您轻松采购。

IRFD321供应商,IRFD321现货,IRFD321代理商,IRFD321pdf参数资料,买IRFD321,IRFD321报价,IRFD321库存

3003677450

微信二维码

扫码微信咨询

0755-83216080